NXP Semiconductors
BYV32E-150
Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 150 V
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
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Date of release: 2 March 2009
Document identifier: BYV32E-150_4
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11. Contents
1 Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
1.1 General description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
1.2 Features and benefits. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
1.3 Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
1.4 Quick reference data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
2 Pinning information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
3 Ordering information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
4 Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3
5 Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4
6 Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4
7 Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6
8 Revision history. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7
9 Legal information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8
9.1 Data sheet status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8
9.2 Definitions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8
9.3 Disclaimers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8
9.4 Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8
10 Contact information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8
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